logo
Enviar mensaje

Multi-productos de Intergrate, servicio completo de las etapas,
Control de alta calidad, fullfillment del requisito de cliente

 

Soporte y Ventas
Solicitar una cotización - Email
Select Language
Hogar
Productos
Sobre nosotros
Viaje de la fábrica
Control de calidad
Éntrenos en contacto con
Solicitar una cotización
Inicio ProductosDiodos y transistores electrónicos

FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA

FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA

NX7002AK NEXPERIA Field Effect Transistor FET SOT23 TO-236AB Surface Mounted D
NX7002AK NEXPERIA Field Effect Transistor FET SOT23 TO-236AB Surface Mounted D

Ampliación de imagen :  FET SOT23 TO-236AB D montada superficie del transistor de efecto de campo de NX7002AK NEXPERIA Mejor precio

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: NEXPERIA
Número de modelo: NX7002AK
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Qty del paquete
Precio: contact sales for updated price
Detalles de empaquetado: cinta y carrete
Tiempo de entrega: 2 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000+
Descripción detallada del producto
Resaltar:

Transistor de efecto de campo de NEXPERIA

,

Transistor de efecto de campo montado superficial

,

NX7002AK

El transistor del efecto de campo del modo del aumento del canal N de NX7002AK NEXPERIA (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) Superficie-montó D

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
SVHC
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto Pequeña señal
Configuración Solo
Tecnología de proceso TMOS
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 60
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) 20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 2,1
Dren continuo máximo (a) actual 0,19
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 2000
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 4500@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 0.33@4.5V
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 15@10V
Disipación de poder máxima (mW) 325
Tiempo de caída típico (ns) 5
Tiempo de subida típico (ns) 7
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 11
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 6
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Paquete del proveedor SOT-23
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar BORRACHÍN
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1 (máximo)
Longitud del paquete 3 (máximo)
Anchura del paquete 1,4 (máximo)
El PWB cambió 3
Forma de la ventaja Gaviota-ala

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Persona de Contacto: peter

Teléfono: +8613211027073

Envíe su pregunta directamente a nosotros