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Pin SOT-23 T/R de los transistores N-CH 60V 0.115A 3 del Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI

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Pin SOT-23 T/R de los transistores N-CH 60V 0.115A 3 del Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI

Ampliación de imagen : Pin SOT-23 T/R de los transistores N-CH 60V 0.115A 3 del Mosfet de 2N7002LT1G ONSEMI Mejor precio

Datos del producto:

Lugar de origen:	CHINA
Nombre de la marca:	ONSEMI
Número de modelo:	2N7002LT1G

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	Qty del paquete
Precio:	contact sales for updated price
Detalles de empaquetado:	cinta y carrete
Tiempo de entrega:	2 semanas
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	1000+

Contacto

Descripción detallada del producto

Resaltar:

Transistores del Mosfet de ONSEMI

Transistores N-CH del Mosfet

2N7002LT1G Pin 3

MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de 2N7002LT1G ONSEMI

ENCENDIDO los MOSFETs del semiconductor se han diseñado para minimizar rato de la resistencia del en-estado proporcionan funcionamiento que cambiaba rugoso, confiable, y rápido. Su disipación de poder máxima es 300 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 60 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.

Características y ventajas:
• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101 calificó y PPAP capaz (2V7002L)
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y son RoHS obediente

Uso:
• Control de motor servo
• Conductores de la puerta del MOSFET del poder

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	Pequeña señal
Configuración	Solo
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	60
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)	2,5
Temperatura de empalme de funcionamiento (°C)	-55 a 150
Dren continuo máximo (a) actual	0,115
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA)	100
IDSS máximo (UA)	1
Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm)	7500@10V
Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia	5 @25V (máximos)
Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v)	1
Capacitancia de salida típica (PF)	25 (máximo)
Disipación de poder máxima (mW)	300
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	40 (máximo)
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	20 (máximo)
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	150
Empaquetado	Cinta y carrete
Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v)	20
Disipación de poder máxima en PWB @ TC=25°C (w)	0,225
Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a)	0,8
Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (°C/W)	556
Voltaje delantero del diodo máximo (v)	1,5
Pin Count	3
Nombre del paquete estándar	BORRACHÍN
Paquete del proveedor	SOT-23
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	0,94
Longitud del paquete	2,9
Anchura del paquete	1,3
El PWB cambió	3
Forma de la ventaja	Gaviota-ala