Pin SOT-23 T/R del transporte N CH 50V 0.2A 3 del Mosfet de BSS138LT1G Onsemi

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de BSS138LT1G ONsemi

EN EL MOSFET del semiconductor es un transistor del MOSFET del canal N que actúa en modo del aumento. Su disipación de poder máxima es 225 mW. El voltaje máximo de la fuente del dren del producto es 50 V y el voltaje de fuente de puerta es ±20 V. Este MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento de -55°C a 150°C.

Características y ventajas:
• Voltaje bajo del umbral (VGS (th): 0,85 V-1.5 V) hacen ideal para los usos de la baja tensión
• El paquete superficial miniatura del soporte SOT-23 ahorra el espacio del tablero
• Prefijo de BVSS para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC-Q101 calificó y PPAP capaz
• Estos dispositivos son Pb-libres, el halógeno Free/BFR libres y son RoHS obediente

Uso:
• Convertidores de DC-DC
• Gestión del poder en productos portátiles y con pilas tales como ordenadores
• Impresoras
• Tarjetas de PCMCIA
• Celular y teléfonos inalámbricos.

Amplifique las señales electrónicas y cambie entre ellas con la ayuda EN del MOSFET del poder del BSS138LT1G del semiconductor. Su disipación de poder máxima es 225 mW. Para asegurar entrega segura y permitir el montaje rápido de este componente después de entrega, será embalada en la cinta y el carrete que empaquetan durante el envío. Este transistor del MOSFET tiene una gama de temperaturas de funcionamiento del °C -55 a 150 °C. Este dispositivo utiliza tecnología de los tmos. Este transistor del MOSFET del canal N actúa en modo del aumento.