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Pin SOT-23 T/R del MOSFET N CH 60V 0.38A 3 del transporte de los DIODOS DMN62D0U-7

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Pin SOT-23 T/R del MOSFET N CH 60V 0.38A 3 del transporte de los DIODOS DMN62D0U-7

Ampliación de imagen : Pin SOT-23 T/R del MOSFET N CH 60V 0.38A 3 del transporte de los DIODOS DMN62D0U-7 Mejor precio

Datos del producto:

Lugar de origen:	CHINA
Nombre de la marca:	DIODES
Número de modelo:	DMN62D0U-7

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	Qty del paquete
Precio:	contact sales for updated price
Detalles de empaquetado:	cinta y carrete
Tiempo de entrega:	2 semanas
Condiciones de pago:	T/T
Capacidad de la fuente:	1000+

Contacto

Descripción detallada del producto

Resaltar:

MOSFET 60V del transporte

MOSFET N CH del transporte

DMN62D0U-7 0.38A

MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de los DIODOS DMN62D0U-7

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS	Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.)	EAR99
Situación de la parte	Activo
Automotriz	No
PPAP	No
Categoría de producto	Pequeña señal
Configuración	Solo
Modo del canal	Aumento
Tipo de canal	N
Número de elementos por microprocesador	1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v)	60
Voltaje de fuente de puerta máximo (v)	±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v)	1
Temperatura de empalme de funcionamiento (°C)	-55 a 150
Dren continuo máximo (a) actual	0,38
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA)	10000
IDSS máximo (UA)	1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm)	2000@4.5V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta	0.5@4.5V
Puerta típica para drenar la carga (nC)	0,09
Puerta típica a la carga de la fuente (nC)	0,09
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF)	32@30V
Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia	2.4@30V
Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v)	0,5
Capacitancia de salida típica (PF)	3,9
Disipación de poder máxima (mW)	590
Tiempo de caída típico (ns)	12,5
Tiempo de subida típico (ns)	2,5
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns)	22,6
Tiempo de retraso de abertura típico (ns)	2,4
Temperatura de funcionamiento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C)	150
Grado de la temperatura del proveedor	Automotriz
Empaquetado	Cinta y carrete
Disipación de poder máxima en PWB @ TC=25°C (w)	0,59
Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a)	1,2
Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (°C/W)	338
Voltaje delantero del diodo típico (v)	0,8
Voltaje típico de la meseta de la puerta (v)	1,8
Voltaje delantero del diodo máximo (v)	1,3
Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v)	20
Corriente continua máxima del dren en PWB @ TC=25°C (a)	0,38
Paquete del proveedor	SOT-23
Pin Count	3
Nombre del paquete estándar	BORRACHÍN
Montaje	Soporte superficial
Altura del paquete	0,98
Longitud del paquete	2,9
Anchura del paquete	1,3
El PWB cambió	3
Forma de la ventaja	Gaviota-ala