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SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8 pines PowerPAK 1212 T/R

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SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8 pines PowerPAK 1212 T/R

Ampliación de imagen : SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8 pines PowerPAK 1212 T/R Mejor precio

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	VISHAY
Número de modelo:	SI7911DN-T1-E3

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	100
Precio:	Pls contact salse for updated price
Detalles de empaquetado:	1000
Tiempo de entrega:	7-15 días
Condiciones de pago:	PayPal, T/T
Capacidad de la fuente:	3k

Contacto

Descripción detallada del producto

MPN:	SI7911DN-T1-E3	MFR:	VISHAY
Disipación de poder máxima (mW):	2500	Paquete del proveedor:	QFN8

Especificaciones técnicas del producto

RoHS de la UE

Obediente

ECCN (EE. UU.)

EAR99

Estado de la pieza

Obsoleto

Automotor

PPAP

categoria de producto

MOSFET de potencia

Configuración

Drenaje doble doble

Modo de canal

Mejora

Tipo de canal

PAGS

Número de elementos por chip

Voltaje máximo de la fuente de drenaje (V)

Voltaje máximo de fuente de puerta (V)

±8

Corriente de drenaje continua máxima (A)

4.2

Resistencia máxima de la fuente de drenaje (MOhm)

51 a 4,5 V

Carga típica de puerta @ Vgs (nC)

9.5@4.5V

Disipación de potencia máxima (mW)

2500

Tiempo de caída típico (ns)

Tiempo de subida típico (ns)

Tiempo de retardo de apagado típico (ns)

Tiempo de retardo de encendido típico (ns)

Temperatura mínima de funcionamiento (°C)

-55

Temperatura máxima de funcionamiento (°C)

150

embalaje

Cinta y carrete

Paquete de proveedor

PowerPAK 1212

Número de pines

Nombre del paquete estándar

PowerPAK 1212

Montaje

Montaje superficial

Altura del paquete

1,07 (máx.)

Longitud del paquete

3.05

Ancho del paquete

3.05

PCB cambiado

Forma de plomo

Sin plomo

etiqueta:

Persona de Contacto: peter

Teléfono: +8613211027073

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Los conductores del alto brillo LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 emergen Pin del soporte 48

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Pin SOIC N T/R del pedazo 8 del almacenamiento de datos de memoria Flash 24LC256T-E/SN EEPROM I2C 256K

MCP de la bola de Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRÓN de MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Almacenamiento de datos de memoria Flash de M24M01-RMN6TP Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

Unidad MCU del microcontrolador

Unidad MCU 8 STM8 mordido 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontrolador del ST de STM8S003F3P6TR

Unidad MCU 16 MSP430 mordido 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontrolador del TI de MSP430G2211IPW14R

La unidad MCU 32 del microcontrolador del ST STM32F030CCT6 mordió el flash del ARM Cortex M0 RISC 256KB

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SI7911DN-T1-E3 VISHAY Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8 pines PowerPAK 1212 T/R

Especificaciones técnicas del producto

TXC Crystal Electronic Component,

KDS Crystal Electronic Component,

Crystal Electronic Component 0.032768MHz

Pin cristalino de Q13FC1350000400 EPSON 32768 kilociclo 20ppm Tol 12.5pF 2

EXS00A-CS09986 NDK Crystal Electronic Component 19.2MHz 7pF 10ppm SMD2016-4P

Retransmisión 12VDC 36A SPST-NO 30.5x16x20.5m m THT del poder de G6QE-1A DC12 OMRON

Retransmisión mecánica eléctrica DPDT 10A 12VDC 650Ohm de AZ733-2C-12D ZETTLER a través del agujero

XRCGB32M000F1H00R0 Murata 32 megaciclos 10ppm cristalino 6pF 60Ohm 3 en SMD T/R

Pin cristalino SMD T/R de XRCGB27M120F2P10R0 Murata 27.12MHz 20ppm 10pF 80Ohm 4