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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Resaltar: | Paralelo Nand Flash de Toshiba,Nand Flash paralelo 1.8V,TC58NYG0S3HBAI6 |
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|---|---|---|---|
| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | 3A991.b.1.a |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | Desconocido |
| PPAP | Desconocido |
| Tipo de la célula | NAND |
| Chip Density (pedazo) | 1G |
| Arquitectura | Sectored |
| Bloque de bota | No |
| Organización del bloque | Simétrico |
| Anchura del autobús de dirección (pedazo) | 28 |
| Tamaño de sector | 128Kbyte x 1024 |
| Tamaño de página | 2Kbyte |
| Número de pedazos/palabra (pedazo) | 8 |
| Número de palabras | el 128M |
| Programabilidad | Sí |
| Tipo que mide el tiempo | Asincrónico |
| Tiempo máximo del borrado (s) | 0.01/Block |
| Tiempo programado máximo (ms) | 0,7 |
| Tecnología de proceso | Cmos |
| Tipo de interfaz | Paralelo |
| Voltaje de fuente mínimo de funcionamiento (v) | 1,7 |
| Voltaje de fuente típico de funcionamiento (v) | 1,8 |
| Voltaje de fuente máximo de funcionamiento (v) | 1,95 |
| Voltaje programado (v) | 1,7 a 1,95 |
| Actual de funcionamiento (mA) | 30 |
| Corriente del programa (mA) | 30 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -40 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 85 |
| Comando compatible | No |
| Ayuda del ECC | Sí |
| Ayuda del modo de página | No |
| Paquete del proveedor | VFBGA |
| Pin Count | 67 |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 0,7 (máximo) |
| Longitud del paquete | 8 |
| Anchura del paquete | 6,5 |
| El PWB cambió | 67 |
Persona de Contacto: peter
Teléfono: +8613211027073
