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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| MPN: | IRFH9310TRPBF | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Categoría: | MOSFET | Tamaño: | 5*6*0.95m m |
| Resaltar: | MOSFET P-CH del poder más elevado,Pin del MOSFET 8 del poder más elevado,IRFH9310TRPBF |
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| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Material | Si |
| Configuración | Fuente triple del solo dren del patio |
| Tecnología de proceso | HEXFET |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 30 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±20 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 21 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 4.6@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 58@4.5V|110@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 110 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 5250@15V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 3100 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 70 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 47 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 65 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 25 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Empaquetado | Cinta y carrete |
| Pin Count | 8 |
| Nombre del paquete estándar | QFN |
| Paquete del proveedor | EP DE PQFN |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 0,95 (máximo) |
| Longitud del paquete | 5 |
| Anchura del paquete | 6 |
| El PWB cambió | 8 |
| Forma de la ventaja | Ninguna ventaja |
Persona de Contacto: peter
Teléfono: +8613211027073
