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Inicio ProductosMOSFET del poder más elevado

Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon

IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML6401TRPBF Infineon Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 Pin SOT-23 T/R

Ampliación de imagen :  Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon Mejor precio

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: Infineon
Número de modelo: IRLML6401TRPBF
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Qty del paquete
Precio: contact sales for updated price
Detalles de empaquetado: cinta y carrete
Tiempo de entrega: 2 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000+
Descripción detallada del producto
MPN: IRLML6401TRPBF MFR: Infineon
Categoría: MOSFET Tamaño: 1.02*3.04*1.4m m
Resaltar:

Mosfet P Ch Si 12V

,

Mosfet P Ch de Infineon

,

IRLML6401TRPBF

MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R del transporte de IRLML6401TRPBF Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Material Si
Configuración Solo
Tecnología de proceso HEXFET
Modo del canal Aumento
Tipo de canal P
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 12
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±8
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 0,95
Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) -55 a 150
Dren continuo máximo (a) actual 4,3
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 100
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 50@4.5V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 10@5V
Puerta típica para drenar la carga (nC) 2,6
Puerta típica a la carga de la fuente (nC) 1,4
Carga reversa típica de la recuperación (nC) 8
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 830@10V
Capacitancia reversa típica @ Vds (PF) de la transferencia 125@10V
Voltaje mínimo del umbral de la puerta (v) 0,4
Capacitancia de salida típica (PF) 180
Disipación de poder máxima (mW) 1300
Tiempo de caída típico (ns) 210
Tiempo de subida típico (ns) 32
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 250
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 11
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Máximos pulsados drenan la corriente @ TC=25°C (a) 34
Resistencia termal ambiente del empalme máximo en PWB (°C/W) 100
Voltaje típico de la meseta de la puerta (v) 1,7
Tiempo de recuperación reversa típico (ns) 22
Voltaje delantero del diodo máximo (v) 1,2
Voltaje típico del umbral de la puerta (v) 0,55
Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) 8
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar BORRACHÍN
Paquete del proveedor SOT-23
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 1,02 (máximo)
Longitud del paquete 3,04 (máximo)
Anchura del paquete 1,4 (máximo)
El PWB cambió 3
Forma de la ventaja Gaviota-ala

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Persona de Contacto: peter

Teléfono: +8613211027073

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