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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| MPN: | IRLML2803TRPBF | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Categoría: | MOSFET | Tamaño: | 1.02*3.04*1.4m m |
| Resaltar: | MOSFET SOT-23 T/R del poder más elevado,MOSFET Si 30V del poder más elevado,IRLML2803TRPBF |
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| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Material | Si |
| Configuración | Solo |
| Tecnología de proceso | HEXFET |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 30 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±20 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 1 (minuto) |
| Dren continuo máximo (a) actual | 1,2 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 250@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 3.3@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 3,3 |
| Puerta típica para drenar la carga (nC) | 1,1 |
| Puerta típica a la carga de la fuente (nC) | 0,48 |
| Carga reversa típica de la recuperación (nC) | 22 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 85@25V |
| Capacitancia de salida típica (PF) | 34 |
| Disipación de poder máxima (mW) | 540 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 1,7 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 4 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 9 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 3,9 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Empaquetado | Cinta y carrete |
| Pin Count | 3 |
| Nombre del paquete estándar | BORRACHÍN |
| Paquete del proveedor | SOT-23 |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 1,02 (máximo) |
| Longitud del paquete | 3,04 (máximo) |
| Anchura del paquete | 1,4 (máximo) |
| El PWB cambió | 3 |
| Forma de la ventaja | Gaviota-ala |
Persona de Contacto: peter
Teléfono: +8613211027073
