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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| MPN: | BSP170PH6327XTSA1 | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Categoría: | MOSFET | Tamaño: | 6.5*3.5*1.6m m |
| Resaltar: | MOSFET del poder más elevado BSP170PH6327XTSA1,MOSFET del poder más elevado automotriz,Pin del interruptor 4 del mosfet de p ch |
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| UE RoHS | Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | Sí |
| PPAP | Desconocido |
| Categoría de producto | Pequeña señal |
| Configuración | Solo dren dual |
| Tecnología de proceso | SIPMOS |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | P |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 60 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±20 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) | 4 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 1,9 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) | 100 |
| IDSS máximo (UA) | 1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (mOhm) | 300@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 10@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 10 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 328@25V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 1800 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 60 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 28 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 92 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 14 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Grado de la temperatura del proveedor | Automotriz |
| Empaquetado | Cinta y carrete |
| Paquete del proveedor | SOT-223 |
| Pin Count | 4 |
| Nombre del paquete estándar | BORRACHÍN |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 1,6 |
| Longitud del paquete | 6,5 |
| Anchura del paquete | 3,5 |
| El PWB cambió | 3 |
| Etiqueta | Etiqueta |
| Forma de la ventaja | Gaviota-ala |
Persona de Contacto: peter
Teléfono: +8613211027073
