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Inicio ProductosMOSFET del poder más elevado

MOSFET del poder más elevado IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R del módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi

MOSFET del poder más elevado IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R del módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi

IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R
IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R IPD90R1K2C3 High Power MOSFET , AMPAK Wifi Module N-CH 900V 5.1A 3 Pin DPAK T/R

Ampliación de imagen :  MOSFET del poder más elevado IPD90R1K2C3, Pin DPAK T/R del módulo N-CH 900V 5.1A 3 de AMPAK Wifi Mejor precio

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: Infineon
Número de modelo: IPD90R1K2C3
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Qty del paquete
Precio: contact sales for updated price
Detalles de empaquetado: cinta y carrete
Tiempo de entrega: 2 semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000+
Descripción detallada del producto
MPN: IPD90R1K2C3 MFR: Infineon
Categoría: MOSFET Tamaño: 2.41*6.73*6.22m m
Resaltar:

MOSFET del poder más elevado IPD90R1K2C3

,

Pin del MOSFET 3 del poder más elevado

,

Módulo N-CH de AMPAK Wifi

MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R del transporte de IPD90R1K2C3 Infineon

Especificaciones técnicas del producto

UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
SVHC
SVHC excede el umbral
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Configuración Solo
Tecnología de proceso CoolMOS
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 900
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±20
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 3,5
Temperatura de empalme de funcionamiento (°C) -55 a 150
Dren continuo máximo (a) actual 5,1
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 100
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 1200@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 28@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 28
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 710@100V
Disipación de poder máxima (mW) 83000
Tiempo de caída típico (ns) 40
Tiempo de subida típico (ns) 20
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 400
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 70
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Empaquetado Cinta y carrete
Voltaje de fuente de puerta positivo máximo (v) 20
Voltaje delantero del diodo máximo (v) 1,2
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar TO-252
Paquete del proveedor DPAK
Montaje Soporte superficial
Altura del paquete 2,41 (máximo)
Longitud del paquete 6,73 (máximo)
Anchura del paquete 6,22 (máximo)
El PWB cambió 2
Etiqueta Etiqueta
Forma de la ventaja Gaviota-ala

Contacto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Persona de Contacto: peter

Teléfono: +8613211027073

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