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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| MPN: | IRFB4115PBF | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Categoría: | MOSFET | Tamaño: | 9.02*10.67*4.83m m |
| Resaltar: | MOSFET del poder más elevado de IRFB4115PBF,MOSFET Si 150V del poder más elevado,mosfet irf4115 |
||
| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| Automotriz | No |
| PPAP | No |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Material | Si |
| Configuración | Solo |
| Tecnología de proceso | HEXFET |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 150 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±20 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 104 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 11@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 77@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 77 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 5270@50V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 380000 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 39 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 73 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 41 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 18 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 175 |
| Empaquetado | Tubo |
| Pin Count | 3 |
| Nombre del paquete estándar | TO-220 |
| Paquete del proveedor | TO-220AB |
| Montaje | A través del agujero |
| Altura del paquete | 9,02 (máximo) |
| Longitud del paquete | 10,67 (máximo) |
| Anchura del paquete | 4,83 (máximo) |
| El PWB cambió | 3 |
| Etiqueta | Etiqueta |
| Forma de la ventaja | A través del agujero |
Persona de Contacto: peter
Teléfono: +8613211027073
