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MOSFET del poder más elevado

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Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF
Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon
Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon
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MOSFET del poder más elevado

(2119)
Porcelana MOSFET NTHD3102C del poder más elevado ChipFET™ complementario 20V fábrica

MOSFET NTHD3102C del poder más elevado ChipFET™ complementario 20V
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MOSFET NTHD3102C ChipFET™ complementario 20V del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los componentes electrónicos venta ... Leer más Mejor precio
2022-05-30 21:37:21
Porcelana MOSFET NTHD3101F del poder más elevado P-canal ChipFET™ y diodo -20V -4.4A 80mΩ de Schottky fábrica

MOSFET NTHD3101F del poder más elevado P-canal ChipFET™ y diodo -20V -4.4A 80mΩ de Schottky
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P-canal ChipFET™ del MOSFET NTHD3101F del poder más elevado y diodo -20V -4.4A 80mΩ de Schottky [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los ... Leer más Mejor precio
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Porcelana MOSFET NTHD3100C del poder más elevado ChipFET™ complementario 20V fábrica

MOSFET NTHD3100C del poder más elevado ChipFET™ complementario 20V
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Porcelana MOSFET NTHC5513 del poder más elevado ChipFET™ complementario 20V fábrica

MOSFET NTHC5513 del poder más elevado ChipFET™ complementario 20V
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Porcelana MOSFET NTH4LN095N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III 650V RÁPIDO 30A 95mΩ TO-247 4lead estrecho fábrica

MOSFET NTH4LN095N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III 650V RÁPIDO 30A 95mΩ TO-247 4lead estrecho
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Canal N SUPERFET® III 650V RÁPIDO 30A 95mΩ TO-247 4lead estrecho del MOSFET NTH4LN095N65S3H del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de ... Leer más Mejor precio
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Porcelana MOSFET NTH4LN067N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III, RÁPIDAMENTE, 650 V, 40 A, 67 mΩ, TO-247 4lead estrecho fábrica

MOSFET NTH4LN067N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III, RÁPIDAMENTE, 650 V, 40 A, 67 mΩ, TO-247 4lead estrecho
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Porcelana MOSFET NTH4LN040N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III, RÁPIDAMENTE, 650 V, 62 A, 40 mΩ, TO-247 4lead estrecho fábrica

MOSFET NTH4LN040N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III, RÁPIDAMENTE, 650 V, 62 A, 40 mΩ, TO-247 4lead estrecho
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Porcelana MOSFET NTH4LN019N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III RÁPIDAMENTE 650 estrecho 19,3 del mΩ TO-247 de V 75 A 4lead fábrica

MOSFET NTH4LN019N65S3H del poder más elevado Canal N SUPERFET® III RÁPIDAMENTE 650 estrecho 19,3 del mΩ TO-247 de V 75 A 4lead
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Canal N SUPERFET® III del MOSFET NTH4LN019N65S3H del poder más elevado RÁPIDAMENTE 650 estrecho 19,3 del mΩ TO-247 de V 75 A 4lead [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en ... Leer más Mejor precio
2022-05-30 21:37:20
Porcelana MOSFET NTH4L160N120SC1 del poder más elevado MOSFET del carburo de silicio, canal N, 1200 V, 160 mΩ, TO247−4L fábrica

MOSFET NTH4L160N120SC1 del poder más elevado MOSFET del carburo de silicio, canal N, 1200 V, 160 mΩ, TO247−4L
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MOSFET del carburo de silicio del MOSFET NTH4L160N120SC1 del poder más elevado, canal N, 1200 V, 160 mΩ, TO247−4L [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de ... Leer más Mejor precio
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Porcelana MOSFET NTH4L080N120SC1 del poder más elevado MΩ TO247−4L del canal N 1200V 80 del carburo de silicio fábrica

MOSFET NTH4L080N120SC1 del poder más elevado MΩ TO247−4L del canal N 1200V 80 del carburo de silicio
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MΩ TO247−4L del canal N 1200V 80 del carburo de silicio del MOSFET NTH4L080N120SC1 del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes ... Leer más Mejor precio
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