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MOSFET del poder más elevado

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Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF
Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon
Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon
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MOSFET del poder más elevado

(2119)
Porcelana MOSFET FDC6305N del poder más elevado MOSFET dual del canal N PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V especificado, 20V, 2.7A, 80mΩ fábrica

MOSFET FDC6305N del poder más elevado MOSFET dual del canal N PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V especificado, 20V, 2.7A, 80mΩ
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MOSFET dual del ® de PowerTrench del canal N del MOSFET FDC6305N del poder más elevado, 2.5V especificado, 20V, 2.7A, 80mΩ [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la ... Leer más Mejor precio
2022-05-30 22:15:52
Porcelana MOSFET FDC6303N del poder más elevado FET dual 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digitaces del canal N fábrica

MOSFET FDC6303N del poder más elevado FET dual 25V, 0.68A, 0.45Ω de Digitaces del canal N
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Porcelana MOSFET FDC6301N del poder más elevado FET dual 25V, 0.22A, 4Ω de Digitaces del canal N fábrica

MOSFET FDC6301N del poder más elevado FET dual 25V, 0.22A, 4Ω de Digitaces del canal N
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Porcelana MOSFET FDC610PZ del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, -30V, -4.9A, 42mΩ fábrica

MOSFET FDC610PZ del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, -30V, -4.9A, 42mΩ
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Porcelana MOSFET FDC608PZ del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V especificado, -20V, -5.8A, 30mΩ fábrica

MOSFET FDC608PZ del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench<sup>®</sup>, 2.5V especificado, -20V, -5.8A, 30mΩ
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Porcelana MOSFET FDC606P del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1.8V especificado, -12V, -6A, 26mΩ fábrica

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Porcelana MOSFET FDC604P del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 1.8V especificado, -20V, -5.5A, 33mΩ fábrica

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Porcelana MOSFET FDC602P del poder más elevado MOSFET del P-canal PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, 2.5V especificado, -20V, -5.5A, 35mΩ fábrica

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Porcelana MOSFET FDC5661N_F085 del poder más elevado MOSFET del canal N PowerTrench&lt;sup&gt;®&lt;/sup&gt;, nivel de la lógica, 60V, 4A, 60mΩ fábrica

MOSFET FDC5661N_F085 del poder más elevado MOSFET del canal N PowerTrench<sup>®</sup>, nivel de la lógica, 60V, 4A, 60mΩ
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Porcelana MOSFET FDC5661N del poder más elevado MOSFET - Nivel de la lógica del canal N, PowerTrench®, 60V, 4A, 60mΩ fábrica

MOSFET FDC5661N del poder más elevado MOSFET - Nivel de la lógica del canal N, PowerTrench®, 60V, 4A, 60mΩ
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