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MOSFET del poder más elevado

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Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R
Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon
Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF
Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF
Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon
Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon
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MOSFET del poder más elevado

(2119)
Porcelana MOSFET NVTYS004N04C del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo fábrica

MOSFET NVTYS004N04C del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo
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Canal N del poder del MOSFET del MOSFET NVTYS004N04C del poder más elevado solo [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los componentes electr... Leer más Mejor precio
2022-05-26 14:48:42
Porcelana MOSFET NVTYS004N03CL del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo fábrica

MOSFET NVTYS004N03CL del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo
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2022-05-26 14:48:42
Porcelana MOSFET de alta potencia NVTYS003N04CL MOSFET de potencia de un solo canal N fábrica

MOSFET de alta potencia NVTYS003N04CL MOSFET de potencia de un solo canal N
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MOSFET de alta potencia NVTYS003N04CL MOSFET Power Single N Channel [¿Qué?o ¿estamos?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se centra en el abastecimiento de semiconductores y la venta y el servicio de ... Leer más Mejor precio
2022-05-26 14:48:41
Porcelana MOSFET NVTYS003N04C del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo fábrica

MOSFET NVTYS003N04C del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo
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Porcelana MOSFET NVTYS003N03CL del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo fábrica

MOSFET NVTYS003N03CL del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo
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Porcelana MOSFET NVTYS002N03CL del poder más elevado Canal N del poder del MOSFET solo fábrica

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Porcelana Conductores de la puerta del Bajo-lado del MOSFET FAN3224TU_F085 del poder más elevado, 4-A dual de alta velocidad fábrica

Conductores de la puerta del Bajo-lado del MOSFET FAN3224TU_F085 del poder más elevado, 4-A dual de alta velocidad
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Conductores de la puerta del Bajo-lado del MOSFET FAN3224TU_F085 del poder más elevado, 4-A dual de alta velocidad [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de ... Leer más Mejor precio
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Porcelana MOSFET EFC8811R del poder más elevado MOSFET dual del poder del canal N para la protección de la batería de ión de litio 1-Cell, 12 V, 27 A, mΩ 3,2 fábrica

MOSFET EFC8811R del poder más elevado MOSFET dual del poder del canal N para la protección de la batería de ión de litio 1-Cell, 12 V, 27 A, mΩ 3,2
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MOSFET dual del poder del canal N del MOSFET EFC8811R del poder más elevado para la protección de la batería de ión de litio 1-Cell, 12 V, 27 A, mΩ 3,2 [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol ... Leer más Mejor precio
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Porcelana MOSFET de alta potencia EFC6605R MOSFET de potencia de doble canal N, 20 V, 10 A, 13,3 mΩ fábrica

MOSFET de alta potencia EFC6605R MOSFET de potencia de doble canal N, 20 V, 10 A, 13,3 mΩ
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MOSFET de alta potencia EFC6605R MOSFET de potencia de doble canal N, 20 V, 10 A, 13,3 mΩ [¿Qué?o ¿estamos?] Sunbeam Electronics (Hong Kong) Co. Ltd se centra en el abastecimiento de semiconductores y la venta ... Leer más Mejor precio
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Porcelana MOSFET EFC4K110NUZTDG del poder más elevado MOSFET dual 24V, 25A, 2.95mΩ del poder del canal N. fábrica

MOSFET EFC4K110NUZTDG del poder más elevado MOSFET dual 24V, 25A, 2.95mΩ del poder del canal N.
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