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Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET FDY300NZ del poder más elevado El canal N 2.5V especificó PowerTrench® 20V 0.6A 0.7Ω
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El canal N 2.5V del MOSFET FDY300NZ del poder más elevado especificó el ® 20V 0.6A 0.7Ω de PowerTrench [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y ... Leer más Mejor precio

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MOSFET FDY3000NZ del poder más elevado El canal N dual 2.5V especificó PowerTrench® 20V 0.6A 700mΩ
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MOSFET FDY102PZ del poder más elevado El P-canal (- 1.5V) especificó MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω de PowerTrench®
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MOSFET FDY101PZ del poder más elevado El P-canal (- 2.5V) especificó MOSFET -20V, -0.15A, 8Ω de PowerTrench®
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MOSFET FDY100PZ del poder más elevado El P-canal (- 2.5V) especificó MOSFET -20V, -0.35A, 1.2Ω de PowerTrench®
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MOSFET FDY1002PZ del poder más elevado P-canal dual (- 1,5 V) especificaron MOSFET -20V, -0.83A, 0.5Ω de PowerTrench®
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MOSFET FDWS9520L-F085 del poder más elevado MOSFET dual del P-canal PowerTrench® - 40 V, - 20 A, mΩ 12,5
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La unidad MCU 32 del microcontrolador del ST STM32F030CCT6 mordió el flash del ARM Cortex M0 RISC 256KB

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