Multi-productos de Intergrate, servicio completo de las etapas,
Control de alta calidad, fullfillment del requisito de cliente

Soporte y Ventas
Solicitar una cotización - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Hogar
Productos
Sobre nosotros
Viaje de la fábrica
Control de calidad
Éntrenos en contacto con
Solicitar una cotización

Categories: Todas las categorías

Crystal Electronic Component

Diodos y transistores electrónicos

Unidad MCU del microcontrolador

Almacenamiento de datos de memoria Flash

Conector del tablero del PWB

Circuito integrado de SMD

Módulo electrónico de Digitaces

MOSFET del poder más elevado

Optoelectrónica LED

Componentes electrónicos pasivos

Circuito impreso flexible de Fpc

Servicio de la asamblea del PWB

Tablero electrónico del indicador digital

Retransmisión del poder de la señal

Interruptor DIP de SMD

Herramientas del desarrollador

Cable de alambre de la UL

Sensores del componente electrónico

montajes del anillo colectando

Inicio Productos

MOSFET del poder más elevado

Todos los productos

Crystal Electronic Component (67)

Diodos y transistores electrónicos (26)

Unidad MCU del microcontrolador (33)

Almacenamiento de datos de memoria Flash (20)

Conector del tablero del PWB (21)

Circuito integrado de SMD (159)

Módulo electrónico de Digitaces (6)

MOSFET del poder más elevado (2119)

Optoelectrónica LED (21)

Componentes electrónicos pasivos (21)

Circuito impreso flexible de Fpc (6)

Servicio de la asamblea del PWB (2)

Tablero electrónico del indicador digital (6)

Retransmisión del poder de la señal (12)

Interruptor DIP de SMD (25)

Herramientas del desarrollador (6)

Cable de alambre de la UL (2)

Sensores del componente electrónico (20)

montajes del anillo colectando (13)

Estoy en línea para chatear ahora

Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF

Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon

1 2 3 4 5

MOSFET del poder más elevado

(2119)

MOSFET FQB47P06 del poder más elevado P-canal, QFET®, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
Contacto

P-canal del MOSFET FQB47P06 del poder más elevado, ® de QFET, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los componente... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB44N10 del poder más elevado Canal N, QFET®, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
Contacto

Canal N del MOSFET FQB44N10 del poder más elevado, ® de QFET, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB34P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ del canal QFET® de P
Contacto

MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ del ® del canal QFET del MOSFET FQB34P10 P del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:25

MOSFET FQB34N20L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET®, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
Contacto

Canal N del MOSFET FQB34N20L del poder más elevado, nivel de la lógica, ® de QFET, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB34N20 del poder más elevado Canal N, QFET®, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
Contacto

Canal N del MOSFET FQB34N20 del poder más elevado, ® de QFET, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los componentes ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB33N10L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
Contacto

Canal N del MOSFET FQB33N10L del poder más elevado, nivel de la lógica, ® de QFET, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB30N06L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET®, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
Contacto

Canal N del MOSFET FQB30N06L del poder más elevado, nivel de la lógica, ® de QFET, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB27P06 del poder más elevado P-canal, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Contacto

P-canal del MOSFET FQB27P06 del poder más elevado, ® de QFET, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los componente... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB27N25TM_F085 del poder más elevado Canal N UltraFET® 250V, 25.5A, 131mΩ
Contacto

® 250V, 25.5A, 131mΩ de UltraFET del canal N del MOSFET FQB27N25TM_F085 del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:24

MOSFET FQB22P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -22A, 125mΩ del P-canal QFET®
Contacto

MOSFET -100V, -22A, 125mΩ del ® del P-canal QFET del MOSFET FQB22P10 del poder más elevado [Quién somos?] Co. Ltd de la electrónica del rayo de sol (Hong Kong) es foco en la compra de componentes y los ... Leer más Mejor precio

2022-05-30 21:52:23

Page 84 of 212|< << 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 >> >|

Sobre nosotros

Sobre nosotros

Viaje de la fábrica

Control de calidad

Circuito integrado de SMD

Transmisor-receptor IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN del RF del TI de CC2541F256RHAR

Bandeja de destello de 8 bits del MICROCHIP MCU AVR RISC 32KB 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP de ATMEGA328P-AU

Los conductores del alto brillo LED del TI TPS92662AQPHPRQ1 emergen Pin del soporte 48

Almacenamiento de datos de memoria Flash

Pin SOIC N T/R del pedazo 8 del almacenamiento de datos de memoria Flash 24LC256T-E/SN EEPROM I2C 256K

MCP de la bola de Nand Flash With Mobile LPDDR2 162 del MICRÓN de MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

Almacenamiento de datos de memoria Flash de M24M01-RMN6TP Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit

Unidad MCU del microcontrolador

Unidad MCU 8 STM8 mordido 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R del microcontrolador del ST de STM8S003F3P6TR

Unidad MCU 16 MSP430 mordido 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R del microcontrolador del TI de MSP430G2211IPW14R

La unidad MCU 32 del microcontrolador del ST STM32F030CCT6 mordió el flash del ARM Cortex M0 RISC 256KB

Éntrenos en contacto con

Éntrenos en contacto con

Pida una cita

E-Mail

Sitemap

Sitio movil

MOSFET del poder más elevado

Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF

Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon

MOSFET del poder más elevado

MOSFET FQB47P06 del poder más elevado P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB44N10 del poder más elevado Canal N, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB34P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ del canal QFET<sup>®</sup> de P
Contacto

MOSFET FQB34N20L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB34N20 del poder más elevado Canal N, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB33N10L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB30N06L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB27P06 del poder más elevado P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB27N25TM_F085 del poder más elevado Canal N UltraFET<sup>®</sup> 250V, 25.5A, 131mΩ
Contacto

MOSFET FQB22P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -22A, 125mΩ del P-canal QFET<sup>®</sup>
Contacto

MOSFET del poder más elevado

Interruptor 1 de los Ics de los circuitos integrados ITS4200SSJDXUMA1 EN 1 FUERA de 6V a 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 del poder más elevado de IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R del Mosfet P Ch Si 12V 4.3A 3 de IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R del MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 del poder más elevado de IRLML2803TRPBF

Tubo del Pin TO-247AC del Si 75V 350A 3 del canal N del MOSFET del poder de IRFP4368PbF Infineon

MOSFET del poder más elevado

MOSFET FQB47P06 del poder más elevado P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB44N10 del poder más elevado Canal N, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB34P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ del canal QFET<sup>®</sup> de P Contacto

MOSFET FQB34N20L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB34N20 del poder más elevado Canal N, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB33N10L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB30N06L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB27P06 del poder más elevado P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK Contacto

MOSFET FQB27N25TM_F085 del poder más elevado Canal N UltraFET<sup>®</sup> 250V, 25.5A, 131mΩ Contacto

MOSFET FQB22P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -22A, 125mΩ del P-canal QFET<sup>®</sup> Contacto

MOSFET FQB47P06 del poder más elevado P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -47 A, 26 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB44N10 del poder más elevado Canal N, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 43,5 A, 52 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB34P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ del canal QFET<sup>®</sup> de P
Contacto

MOSFET FQB34N20L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 80 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB34N20 del poder más elevado Canal N, QFET<sup>®</sup>, 200 V, 31 A, 75 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB33N10L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB30N06L del poder más elevado Canal N, nivel de la lógica, QFET<sup>®</sup>, 60 V, 32 A, 35 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB27P06 del poder más elevado P-canal, QFET<sup>®</sup>, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Contacto

MOSFET FQB27N25TM_F085 del poder más elevado Canal N UltraFET<sup>®</sup> 250V, 25.5A, 131mΩ
Contacto

MOSFET FQB22P10 del poder más elevado MOSFET -100V, -22A, 125mΩ del P-canal QFET<sup>®</sup>
Contacto