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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| MPN: | BSC123N08NS3G | MFR: | Infineon |
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| Categoría: | MOSFET | Tamaño: | 1*5.15*5.9m m |
| Resaltar: | MOSFET 80V del poder más elevado,MOSFET 11A del poder más elevado,BSC123N08NS3G |
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| UE RoHS | Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) | EAR99 |
| Situación de la parte | Activo |
| SVHC | Sí |
| SVHC excede el umbral | Sí |
| Automotriz | Desconocido |
| PPAP | Desconocido |
| Categoría de producto | MOSFET del poder |
| Tecnología de proceso | OptiMOS |
| Configuración | Fuente triple del solo dren del patio |
| Modo del canal | Aumento |
| Tipo de canal | N |
| Número de elementos por microprocesador | 1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) | 80 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) | ±20 |
| Dren continuo máximo (a) actual | 11 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) | 12.3@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta | 19@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta | 19 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) | 1430@40V |
| Disipación de poder máxima (mW) | 2500 |
| Tiempo de caída típico (ns) | 4 |
| Tiempo de subida típico (ns) | 18 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) | 19 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) | 12 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) | -55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) | 150 |
| Pin Count | 8 |
| Nombre del paquete estándar | HIJO |
| Paquete del proveedor | EP DE TDSON |
| Montaje | Soporte superficial |
| Altura del paquete | 1 |
| Longitud del paquete | 5,15 |
| Anchura del paquete | 5,9 |
| El PWB cambió | 8 |
| Forma de la ventaja | Ninguna ventaja |
Persona de Contacto: peter
Teléfono: +8613211027073
